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SiR878ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
64
V GS = 10 V thru 5 V
10
8
48
32
16
V GS = 4 V
6
4
2
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
0
V GS = 3 V
V GS = 2 V
0
T C = - 55 ° C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.025
0.021
0.017
0.013
0.009
0.005
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 7.5 V
V GS = 10 V
1800
1440
1080
720
360
0
C iss
C oss
C rss
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 10 A
I D = 15 A
V GS = 10 V
8
6
V DS = 50 V
1.7
1.4
4
V DS = 25 V
V DS = 75 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0
0.8
0.5
0
6
12 18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 63369
S11-1999-Rev. B, 10-Oct-11
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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